Tranzistor

Bipolární křižovatka tranzistoru (BJT)
Bipolar Junction Transistors are transistors that are built up of 3 regions, the base, the collector, and the emitter. Bipolar Junction transistors, different FET transistors, are current-controlled devices. A small current entering the base region of the transistor causes a much larger current flow from the emitter to the collector region. Bipolar junction Tranzistory přicházejí ve dvou hlavních typech, NPN a PNP . Transistor NPN je takový, ve kterém většina současných nosičů jsou elektrony .

Elektron tekoucí z emitoru do sběratele tvoří základnu většiny proudového toku tranzistorem . Dalšími typy náboje, otvory, jsou menšiny . Pnp tranzistory jsou naopak . v Pnp Transistors, jsou k dispozici v Pnp Transistors, které jsou dostupné v nosích, které jsou dostupné v nosích, které jsou dostupné v Pnp Transistores, které jsou k dispozici v Pnp Transistors. PNP a NPN .

PNP tranzistor
Tento tranzistor je dalším druhem BJT-bipolárních spojovacích tranzistorů a obsahuje dva polovodičové materiály typu p . Tyto materiály jsou děleny tenkými polovodičovými vrstvami {{}}} V těchto tranzistorech jsou majetkové nosiče, které jsou ve většinových nosičích, které jsou ve většině, které jsou ve věku, které jsou ve věcech, které jsou elektrony {{} {4 4}

V tomto tranzistoru symbol šipky označuje konvenční proudový tok . Směr proudu toku v tomto tranzistoru je z emitorového terminálu do kolektorového terminálu . Tento tranzistor se zapne, jakmile je základní terminál přetažen na nízký ve srovnání s emitorovým terminálem . Pnp Transistor se zapne níže {{{}} {{} {{} {{{} {{{} {{{} {{{{} {{{} {{{{{{{{{{{.

Transistor NPN
NPN je také jeden druh BJT (bipolární křižovatky tranzistorů) a zahrnuje dva polovodičové materiály typu N-typu, které jsou děleny tenkou polovodičovou vrstvou typu P, . v tranzistoru NPN jsou kolektivními, které jsou kolektivními, které jsou s kolektivními, které se kolíčují, které jsou kolektivními, které se kolíčují, které jsou svlékly, které se koltovali, které se kolmily, které jsou svlékly, které jsou smanicí, které jsou smanií, které se kolmijí, které jsou v nouzovém toku. Terminál vytvoří proudový tok v základním terminálu tranzistoru .

V tranzistoru může menší množství proudu na základním terminálu způsobit dodávku obrovského množství proudu z emitorového terminálu do sběratele . V současné době, běžně používané BJT jsou npn tranzistory, protože mobilita elektronů je vyšší ve srovnání s mobilitou Holes . Npn Transistor je níže uvedeno.}}}}}}}}}}}}}}}}}}

Tranzistor polního efektu
Field Effect Transistors are made up of 3 regions, a gate, a source, and a drain. Different bipolar transistors, FETs are voltage-controlled devices. A voltage placed at the gate controls current flow from the source to the drain of the transistor. Field Effect transistors have a very high input impedance, from several mega ohms (MΩ) odporu k mnoha, mnohem větších hodnotám .

Tato impedance s vysokým vstupem způsobuje, že skrze ně mají velmi málo proudového protékání . (podle Ohmův zákon je proud nepřímo ovlivněn hodnotou impedance obvodu . Pokud je impedance vysoká, je proud velmi nízký .), takže oživí oba z obvodu z obříhového zdroje {3}. {3} {3} {3} {3}.. {3}... {3} {3} {3}.}}} {3} {3} {3} {3}.. {3}. ..

To je tedy ideální, protože nenarušují původní napájecí prvky obvodu, ke kterým jsou připojeny k ., nezpůsobí načtení zdroje energie . Nevýhodou FET je, že neposkytují stejné zesílení, které by mohly být získány z bipolárních tranzistorů .

Bipolární tranzistory jsou lepší v tom, že poskytují větší amplifikaci, i když FET jsou lepší v tom, že způsobují menší načítání, jsou levnější a snadnější výrobu . Tranzistory v polním efektu přicházejí ve 2 hlavních typech: Jfets a Mosfets .}}}}} {} {}} {} {}}}.}.. { To způsobuje ještě méně načítání v obvodu . Fet Transistory jsou klasifikovány do dvou typů, jmenovitě JFET a MOSFET .

Jfet
JFET je zkratka pro tranzistor pro křižovatky-field-effect . Toto je jednoduché a také počáteční typ Fet tranzistorů, které se používají jako odpory, zesilovače, přepínače atd. . Toto je napájecí závody a pak se uplatní, pak je kontrolovanou volno a pak je to, že je to volta, které je v souladu s volným časem, které je v souladu s valtageem a Průběžné. Aktuální tok mezi zdrojem a odtokem tranzistoru JFET .

Tranzistor efektu křižovatky (jugfet nebo JFET) nemá žádné švyrky PN, ale na svém místě má úzkou část polovodičového materiálu s vysokým odporem, který tvoří „kanál“ buď typu N nebo p-typu, pro protékání většinových nositelů protéká s dvěma ohmickými elektrickými připojeními na obou koncích {{{{{{{{.

Existují dvě základní konfigurace tranzistoru efektivního polního polního polního polního polního pole, N-kanálového JFET a P-kanálu JFET . kanál N-Channel JFET je dopován nečistotami dárců, což znamená, že tok proudu je negativní (tedy termín n-channel) ve formě elektronů.} {6} těchto tranzistů a odtud je ve formě elektronů {6}. Typy n-kanálů .

MOSFET
Transistor MOSFET nebo METOL-Oxid-Semiconductor-Effect se nejčastěji používá mezi všemi druhy tranzistorů . Jak název napovídá, zahrnuje terminál kovové brány . Tento tranzistor zahrnuje čtyři terminály jako zdroj, odtok, brána a substrát nebo tělo .}}}}}}}}}}}
As compared with BJT and JFET, MOSFETs has several benefits as it provides high i/p impedance as well as low o/p impedance. MOSFETs are mainly used in low power circuits especially while designing chips. These transistors are available in two types like depletion & enhancement. Further, these types are categorized into P-channel & Typy n-kanálů .