Aplikace diod v technologii rychlého nabíjení pro mobilní telefony

1, hlavní výzvy technologie rychlého nabíjení a strategická hodnota diodů
V oblasti chytrých telefonů se technologie rychlého nabíjení stala klíčovým ukazatelem pro zlepšení uživatelského prostředí. Úzkost rychlosti nabíjení však leží nejen na výkonu nabíjecí hlavy, ale také v účinnosti přeměny energie v obvodu. Jako základní zařízení pro rektifikaci, volnoběh a upínání, výkon diod přímo ovlivňuje hustotu výkonu, kontrolu zvyšování teploty a optimalizaci objemu nabíječek.
Jako příklad, jejich příklad, je jejich tradiční diody křemíku, jejich pokles napětí vpřed (VF) je asi 0,7 V. Ve 100 W nabíječce vygeneruje pouze rektifikační spojení ztrátu asi 7W (vypočteno na základě výstupního proudu 5a). Pokud se použije Schottkyho dioda (VF =0.3 v), může být ztráta snížena na 3W a účinnost může být zlepšena o 4%. Ve vysoko {- Frekvenční spínací napájecí zdroje mohou příliš dlouhá doba zotavení (TRR) diod vést k napěťovým hrotům, což přinutí návrhářů používat kondenzátory pro filtrování větší kapacity a magnetické komponenty, zvyšující se objem a náklady.
2, budoucí technologické trendy a pokyny pro inovace
Inovace materiálů
Gan Dioda: VF laboratorních vzorků byl snížen na 0,1 V, podporoval frekvence přepínání hladiny GHz a očekává se, že bude komercializován do roku 2026.
Diamantová dioda: S tepelnou vodivostí 2200 W/M · K řeší úzký profil tepla a je vhodný pro scénáře hustoty výkonu na vysoké -.
Technologický průlom
3D balení: Technologie TSV umožňuje vertikální stohování diod a čipů ovladačů, což snižuje parazitickou indukčnost o 60%.
Digitální napájení: Kombinace adaptivních algoritmů tak, aby dynamicky upravila pracovní režim diodů, s kolísáním účinnosti menší než 1%.
Optimalizace úrovně systému
Hybridní topologie: Kombinace diodů SIC s křemíkem - zařízení, vyvážení vysoké frekvence a nízké náklady.
Integrovaný modul: Například napájecí modul integruje diody, MOSFETS a obvody ovladače, čímž se zmenšuje velikost o 50%.
3, tržní a ekologická synergie
Spotřebitelská elektronika: Poptávka po zařízeních 5G a zařízení AR/VR roste a očekává se, že roční míra růstu po poptávce po vysoké - dosáhne 8%.
Nová energetická vozidla: Nabíječka automobilů přijímá schéma diody SIC a za každý 1% zvýšení účinnosti se rozsah zvyšuje o 2 km.
Standardní vývoj: USB PD3.1, QC5.0 a další protokoly řídí vývoj nabíječek směrem k vysokofrekvenční a vysoké síle a nutí inovace v technologii diody.
https://www.trrsemicon.com/diode/smd/asmd{2haeding/gs1a/adeg