IRLML0040TRPBF Často kladené otázky

Preventivní opatření proti výpadku napětí na J-pólu: Přepěťová ochrana mezi registrem a zdrojem: Pokud je impedance mezi hradlem a zdrojem příliš vysoká, náhlá změna napětí mezi kolektorem a zdrojem se propojí s hradlem přes kapacitu elektrody, což má za následek při velmi vysokém překmitu napětí UGS a překmitu brány. Pokud se jedná o UGS přechodné napětí v kladném směru, zařízení může mít také chyby ve vedení. Aby toho bylo dosaženo, měla by být přiměřeně snížena impedance obvodu pohonu hradla a mezi hradlo a zdroj by měl být paralelně zapojen tlumicí odpor nebo regulátor napětí se stabilizací napětí asi 20V. Zvláštní pozornost je třeba věnovat tomu, aby se zabránilo operacím otevírání dveří.

Přepěťová ochrana mezi nevodovodními trubkami: Pokud je v okruhu indukční zátěž, náhlá změna odtokového proudu (di/dt) při vypnutí zařízení způsobí překmitnutí vypouštěcího napětí, které je mnohem vyšší než napájecí zdroj. napětí, což vede k poškození zařízení. Měla by být přijata ochranná opatření, jako jsou Zenerovy kleště, RC kleště nebo RC obvody.

Příklad: Použití ochranné desky lithiové baterie jako spínače nabíjení a vybíjení

Obecně je MOS ve stavu zapnuto nebo vypnuto, bez ohledu na rychlost spínání MOS je na celém obvodu navržen rychlý uzavírací obvod.

Věnujte pozornost následujícím bodům:

1. Věnujte pozornost napětí DS a ponechejte dostatečnou rezervu pro návrh a výběr. Podle BVDDS 1,5násobek MOS tranzistoru

2. Dávejte pozor na pracovní proud a ochranný proud. Hodnota zkušenosti je 3-4krát nebo vícekrát, což je ID (DC) MOS.

3. Více MOS je zapojeno paralelně a proudová rezerva by měla být co největší.

4. Plán použití vysokého proudu by měl komplexně zohledňovat odvod tepla obalu a vnitřní odpor.

5. Je důležité porozumět hnacímu napětí a pokusit se udržet MOS v plně otevřeném stavu. Pro řešení řízená mikrokontrolérem se doporučuje co nejvíce používat MOS s nízkým otevřeným stavem.

Kromě toho je třeba při výběru tranzistorů MOS věnovat pozornost typu kanálu, BVDDS, ID vedení proudu, VGS (th), RDSON a dalším parametrům