Výkon MOSFET 10N60

Výkonový MOSFET 10N60,10N60 DATASHEET:

Funkce

Nízké RDS (zapnuto)

Nízké nabití brány (typ. Qg=31,4 nC)

100% testováno UIS

V souladu s RoHS

Aplikace

Korekce účiníku.

Spínané zdroje napájení.

LED ovladač.

Absolutní maximální hodnocení

10N60 MOSFET: Vysoce výkonné výkonové tranzistory

10N60 MOSFET je vysoce výkonný výkonový tranzistor, který je vyroben pomocí pokročilé planární technologie VDMOS. Výsledkem je zařízení, které nabízí nízký vodivý odpor, vynikající spínací výkon a vysokou lavinovou energii.

Jednou z klíčových vlastností tohoto MOSFETu je jeho nízké RDS(on), které pomáhá zajistit efektivní přenos energie minimalizací ztrát energie. Navíc má nízký náboj hradla (typické Qg=31,4 nC), což znamená, že jej lze snadno ovládat pomocí nízkonapěťového signálu.

Pro zajištění optimálního výkonu a spolehlivosti je každý 10N60 MOSFET 100% testován na UIS (Unclamped Inductive Switching), aby bylo zajištěno, že bezpečně odolá vysokonapěťovým přechodům a chrání před poškozením neočekávanými napěťovými špičkami.

MOSFET 10N60 je v souladu s RoHS, což znamená, že neobsahuje nebezpečné materiály a splňuje ekologické normy stanovené Evropskou unií.

Celkově je MOSFET 10N60 vynikající volbou pro širokou škálu aplikací s vysokým výkonem, jako jsou napájecí zdroje, řízení motoru, vysokofrekvenční měniče a další průmyslové aplikace. Díky svému vynikajícímu výkonu a spolehlivosti vám tento MOSFET jistě pomůže dosáhnout optimálních výsledků ve vašich projektech výkonové elektroniky.

FRQ:

Otázka: Jak dlouho je vaše dodací lhůta?

Odpověď: Obecná dodací lhůta je 1-3 týdnů po obdržení potvrzení objednávky. Anther, pokud máme zboží skladem, bude to trvat jen 1-2 dní.

Otázka: Poskytujete vzorek? Je to zdarma?

Odpověď: Pokud má vzorek nízkou hodnotu, poskytneme vám k otestování 20-30 ks.

Populární Tagy: Power MOSFET 10N60, Čína, dodavatelé, výrobci, továrna, distributoři, nabídka, inventář, Shenzhen, OEM, skladem